此前真我官方公布,真我GT2大师探索版将于7月12日正式发布,日也开始逐渐放出与新机相关的物料。

官方将这款机型称为“年度质感旗舰”,号称是“工业设计的天花板”。随着新机发布时间的日益临,网上关于这款机型的爆料也更加密集。

根据官网的信息,真我GT2大师探索版将搭载高通骁龙8+处理器,采用了6.7英寸的中置挖孔柔屏,屏占比将达到94.2%,支持最高120Hz的高刷和DC调光,并将具备全局暗色模式,影像由一颗5000万像素主摄以及一颗5000万像素超广角摄像头和一颗200万像素微距组成。

由于高通骁龙8的糟糕表现,以及能耗比令人失望和更高的温度,都让骁龙8这颗芯片饱受争议。为了一雪前耻,高通也是提前释出了高通骁龙8+这颗芯片。

除了主频上的提升外,还将这颗芯片的代工工作交给了台积电,并且是基于台积电的4nm工艺制程打造,据说在能提升的同时将带来更好的温度表现。

但是真我觉得这还不够,在真我GT2大师探索版中采用了三明治立体双VC结构的散热系统,VC面积达到了4811方毫米,直接将专业游戏手机上的配置搬到了旗舰机上。同时还将全球首发LPDDR5X内存,传输速率从LPDDR5的6.4Gbps提升到了8.5Gbps。

真我GT2大师探索版的机身采用了金属中框设计,重量仅为195g,同时内置5000mAh大容量电池,并首次在手机端引入了氮化镓器件,实现了全链路GaN百瓦秒充,充至100%仅需25分钟。搭配100W的氮化镓的充电头,官方宣称可将发热峰值降低85%左右。

根据知名爆料博主在社交台晒出的最新真我GT2大师探索版和iPhone 13 Pro的对比照片看出,全新的真我GT2大师探索版将采用COP封装工艺,直接将屏幕的一部分弯折然后封装。

此举极大地缩减了下边框的宽度,让边框宽度仅为2.37mm,比iPhone 13 Pro更窄,正面效果极为震撼。海外网友看到照片后给出评论“安卓领先iPhone5年”。

结合此前的爆料,真我GT2大师探索版将采用环保素皮设计,将给用户带来极其细腻的握持手感。并且配以金属铆钉装饰,配合硬箱造型的直角金属中框,真机散发着一种优雅的气质。

从工业设计上来说,真我GT2大师探索版已经做到了领先同行的水准,如果真如传言中所说,这款机型的起售价将从3000元起跳,那么在市场上将会极具竞争力。

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